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ZXMN10A08GTA  与  BSP372N H6327  区别

型号 ZXMN10A08GTA BSP372N H6327
唯样编号 A-ZXMN10A08GTA A-BSP372N H6327
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 N-Channel 100 V 0.25 Ohm Power MOSFET Surface Mount -SOT-223-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 3.5mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 250mΩ@3.2A,10V 153mΩ
上升时间 - 6.7ns
产品特性 - 车规
Qg-栅极电荷 - 14.3nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 5.1S
封装/外壳 SOT-223 -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 2A 1.8A
配置 - Single
长度 - 6.5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V -
下降时间 - 18ns
高度 - 1.6mm
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 1.8W
典型关闭延迟时间 - 47.3ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - BSP372
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 405pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 7.7nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 5.1ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZXMN10A08GTA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2W(Ta) 250mΩ@3.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 100V 2A

暂无价格 0 当前型号
BSP372NH6327XTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSP372N H6327_N 通道 TO-261-4,TO-261AA -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比
BSP372N H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSP372NH6327XTSA1_100V 1.8A 153mΩ 20V 1.8W N-Channel -55°C~150°C 车规

暂无价格 0 对比

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